到岗时间：不限
婚况要求：不限
工作职责
负责车用IGBT/FRD/SiC MOSFET芯片的设计开发，具体包含：
1.共同完成芯片关键需求的定义，包含器件电特性和可靠性参数等；
2.负责芯片结构设计，并使用Sentaurus或Silvaco等TCAD软件进行芯片电特性仿真；
3.负责芯片版图设计，参与或负责工艺flow设计、关键工艺DOE设计；
4.参与制定芯片过程关键管控特性及管控方法，制定芯片CP测试条目及标准；
5.负责开发过程中关键技术问题的解决。
基本素质要求
1.负责过IGBT/FRD/SiC MOSFET芯片的工艺对接或工艺整合或关键工艺开发工作，有完整的芯片开发及量产经验；
2.熟悉Si IGBT或SiC MOSFET芯片的工艺流程、关键工艺及设备特点；
3.了解芯片的基本结构，熟悉各个工艺过程对于芯片特性的影响；
4.熟悉Fab厂的运作模式，有相关产品PIE经验更佳。
求职提醒：求职过程请勿缴纳费用，谨防诈骗！若信息不实请举报。
