到岗时间：不限
婚况要求：不限
岗位职责：
1.负责SRAM/RRAM等存储器电路的设计与开发，包括电路架构定义、功能模块设计、时序与功耗优化等。
2.指导版图工程师进行存储器单元的版图规划与布局，确保设计符合工艺规则与性能要求。
3.编写技术文档，包括设计说明、测试方案、验证报告等，支持产品交付与客户支持。
4.参与存储器设计的仿真与验证工作，包括功能仿真、时序分析、功耗评估等。
任职要求：
1.电子工程、微电子或计算机工程等相关专业背景；
2.具有一定存储器电路设计经验；
3.具备40nm/28nm或更高工艺节点电路设计经验；
4.熟练掌握SRAM、RRAM等存储器电路设计，具备从RTL到GDSII的全流程设计能力。
5.熟悉主流EDA工具，如CadenceVirtuoso、Calibre等。
5.具有一定的SRAM良率分析经验；
6.熟悉存储器编译器（MemoryCompiler）的开发流程，了解设计相关文件（如Verilog、GDS、CDL、LEF、DEF、Liberty等）的生成与验证，有相应经验优先。
求职提醒：求职过程请勿缴纳费用，谨防诈骗！若信息不实请举报。
