Mos设计工程师

到岗时间：不限 婚况要求：不限 岗位职责 • 运用TCAD仿真专业知识，开发和改进下一代 MOSFET 产品系列及技术平台的性能 • 与工艺整合团队协作，解决器件级问题并提出改进方案 • 作为技术顾问，为一个或多个项目提供创新支持与技术专长 • 基于TCAD 仿真提出实验设计（DOE）和工艺条件建议，并推动开发活动落地 • 调试器件相关问题，提出解决方案 • 运用专业知识，提升组织在功能和技术层面的整体能力 • 支持跨组织的关键工程活动，指导并辅导初级团队成员 任职资格 • 负责 SGT/SJ/Trench MOS 的开发和仿真验证工作 • 精通 MOS、二极管、晶闸管、IGBT 等功率器件原理 • 精通功率器件工艺；精通 TCAD 仿真工具（如 Sentaurus/Sivalco/Medici）；精通版图设计工具（如 Virtuoso 和 L-edit） • 熟悉 FMEA、QFD、DOE、SPC、8D、失效分析（FA）等知识及应用 • 具有功率器件测试和逆向分析的实操经验 • 微电子、集成电路以及相关专业，硕士及以上学历