射频晶体管研发工程师

到岗时间：不限 婚况要求：不限 岗位职责： 1. 研发射频晶体管，负责BJT 器件的产品定义、规格拆解、竞品对标与方案自研； 2. 独立完成射频器件器件建模、电路仿真、噪声 / 增益 / 线性度优化，使用 ADS 等工具完成 S 参数、NF、fT 关键指标仿真验证； 3. 负责器件版图设计、PDK 匹配，对接Foundry，输出 GDS、工艺文档、流片资料，跟进 MPW / 工程批流片全过程； 4. 制定封装、测试方案，搭建射频器件评估测试平台，完成样品电性能验证、可靠性摸底、参数校准； 5. 分析流片、封装带来的性能偏差，迭代优化设计； 6. 负责 LNA 射频前端用低噪声 SiGe 晶体管的技术预研、参数迭代、输出完整设计报告、仿真报告、测试报告、规格书。 任职要求 1. 学历专业：微电子、电磁场与微波、射频电路、半导体物理、通信工程，本科及以上，硕士优先； 2. 从业经验：3 年及以上射频器件 / 半导体 IC / 分立射频晶体管设计经验；懂 SiGe HBT/BJT 器件设计优先； 3. 精通 SiGe:C 射频晶体管原理，熟悉 fT、噪声系数 NF、增益、耐压、电流密度等关键参数设计； 4. 熟练使用 ADS 进行射频器件建模、电路仿真、阻抗匹配、性能优化； 5. 懂 PDK、版图设计、流片资料输出，有对接 Foundry 外协流片实战经验； 6. 熟练使用 VNA、噪声仪、直流参数仪等，能独立完成射频器件样品测试、数据分析、问题复盘。