到岗时间：不限
婚况要求：不限
工作职责:
负责新型半导体器件的定义与工艺实现，主导器件结构设计、工艺流程开发及电学性能优化
深入研究器件物理特性（如载流子输运、短沟道效应、可靠性机制等），建立工艺参数与器件性能的关联模型
协同设计团队进行器件仿真（TCAD）与版图优化，指导工艺实验方案设计
主导器件失效分析，从物理机制层面解决研发过程中的性能异常及可靠性问题
推动新器件从研发向量产转移，确保性能、良率及可靠性目标达成
撰写技术报告、申请专利，保持领域技术领先性
任职资格:
博士学历，微电子、物理、材料、电子工程等相关专业
研究方向为射频、逻辑、MEMS、硅光器件等***，有扎实的器件物理基础
熟悉半导体工艺全流程及关键模块（光刻、刻蚀、薄膜、掺杂等）对器件特性的影响
熟练使用TCAD仿真工具（如Sentaurus、Silvaco）及数据分析工具
具备独立设计实验、解决复杂器件相关工艺问题的能力
良好的英文读写能力，有高质量国际期刊论文或专利者优先
求职提醒：求职过程请勿缴纳费用，谨防诈骗！若信息不实请举报。
